半导体离子注入 / 刻蚀用石墨件解析

前道工艺中的石墨件

半导体前道的离子注入、等离子刻蚀等工艺，腔体内使用高纯石墨电极、承载件、结构件（部分表面做 SiC 等涂层）：

• 导电、耐等离子/离子轰击
• 高纯、低颗粒污染
• 尺寸精密、热稳定

关键要求

1. 超高纯：极低金属杂质与颗粒
2. 精密加工：±0.01mm
3. 表面处理/涂层：抗刻蚀、减少颗粒（见外延基座涂层）

半导体石墨件（含封装/焊接治具）可来图定制，参考半导体石墨件盘点。