半导体外延石墨基座(Susceptor)方案：高纯+涂层

痛点

外延/MOCVD 石墨基座：

• 腐蚀/反应性气氛侵蚀石墨、污染晶圆
• 晶圆袋位精度要求高
• 热场均匀性影响外延质量

方案

1. 超高纯石墨基材，低污染
2. CNC 五轴精密晶圆袋位，±0.01mm
3. 表面做抗蚀/抗氧化涂层保护（见涂层类型）

收益

• 基座耐蚀耐用、晶圆更洁净
• 外延质量与良率提升

详见外延/MOCVD 石墨基座与半导体离子注入/刻蚀件。咨询方案。