碳化硅(SiC)单晶生长用石墨件：坩埚、保温与热场

SiC 单晶与石墨

碳化硅（SiC）是第三代半导体核心材料，主流用 PVT（物理气相传输） 法在 2000℃ 以上生长，石墨坩埚、保温毡框、热场件是关键耗材。

石墨件要求

• 超高纯：SiC 对杂质极敏感，需低灰分高纯石墨
• 耐超高温：2000℃+ 长时间稳定
• 抗侵蚀：Si 蒸气 / 反应气氛侵蚀强，需热解碳 / TaC 涂层保护
• 热场均匀：控制温梯、保证晶体质量

涂层保护

热解碳涂层封孔提纯、抗侵蚀，延长坩埚寿命。

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