碳化硅（SiC）长晶石墨坩埚超高温方案

痛点

第三代半导体 SiC 长晶（PVT 法）：

• 长期 2000℃+ 超高温工况严苛
• 超高纯要求，杂质影响晶体质量
• 热场均匀性直接决定成品率

方案

1. 高纯石墨坩埚、保温/导流结构件
2. 高温部位配 1500℃ 超高温抗氧化涂层
3. 热场件整套配套、来图定制
4. 三次元检测保证尺寸一致

收益

• 耐超高温、低污染、热场稳定
• 晶体质量与成品率提升

详见SiC 长晶石墨件。咨询方案。