碳化硅（SiC）长晶用石墨件与坩埚全解析

SiC——第三代半导体

碳化硅（SiC）是新能源汽车、快充、光伏逆变等的关键第三代半导体材料。SiC 单晶多用 PVT（物理气相传输）法在 2000℃ 以上生长。

对石墨件的严苛要求

• 超高温：长期 2000℃ 以上，需耐超高温石墨
• 超高纯：极低灰分，防止晶体污染
• 热场均匀：影响晶体质量与成品率

常用石墨件

• SiC 长晶石墨坩埚（石墨坩埚）
• 保温/隔热件、导流件（异形结构件）
• 发热体

高温工况可配 1500℃ 超高温抗氧化涂层。SiC 热场石墨件可来图定制。